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作为与硅器件的粗略“数量级”比较，依据sic的mosfet器件隔绝工作标准电压是前边一种的10倍，电源总开关速度约是其10倍，25℃时的导通电阻仅有其一半或更小。此外，工作温度蕞大做到200℃（硅器件为125℃），因而使热设计和热管理方案获得简单。

sic电源总开关器件输出功率处理能力的一个实例是rohmsemiconductor的sct3105krc14，1200v、24a的n横断面sic输出功率mosfet，rds(on)典型值为105mω。该器件具有的导热系数特性，相对于释放出来的脉冲宽度能够迅速---蕞高值，输出功率水平较低时，美容仪器dc电源模块，一种做法是选择结合了转化器可调稳压电源与相关输出功率电源总开关器件的ic。该做法的优势在于可调稳压电源与功率器件的互连有益于提高电路，200wdc电源模块，而在所难免的内寄生效应特性也在使用说明中有一定的描述。

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功率大的赔偿型——清洁型稳压器(含精密型稳压器)它用赔偿阶段完成输出电压的平稳，dc电源模块，易完成微型机---。它的优势是抗干扰能力能好，稳压(≤±1%)、回应快(40～60ms)、电源电路简易、工作中---。缺陷是：带电子计算机，程控电话交换机等离散系统负荷时有低频振荡状况;键入侧电流量谐波失真大，源功率因素较低;输出电压对键入工作电压有相移。

对抗干扰性作用规定较高的企业，在大城市里运用为宜，电子计算机供电系统时，务必采用电子计算机总输出功率的2-3倍上下稳压器来应用。因具备稳压、抗干扰性，响应时间快、价钱适度等优势，因此 运用普遍。

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